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从战略制定到产品上市 集成产品开发（IPD）应用实践.pdf 文件大小：058.19 MB

从战略制定到产品上市 集成产品开发（IPD）应用实践-OCR.pdf 文件大小：071.54 MB

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从战略制定到产品上市——集成产品开发（IPD）应用实践
集成产品开发（IPD）入门工具书，企业实施IPD的重要参考读物
作者:王四海出版社:企业管理出版社出版时间:2023年02月

抢购价 ¥59.60
(6.7折)

开 本：16开
纸 张：胶版纸
包 装：平装-胶订
是否套装：否
国际标准书号ISBN：9787516428108
所属分类：
图书>管理>生产与运作管理

编辑推荐

▲本书以人们日常使用的智能手机为例，介绍利用IPD方法，逐步将一个IDEA演变成产品并上市销售的全过程，清晰明了地呈现了IPD流程的全貌。
▲作者王四海老师曾任职华为技术、烽火通信、深信服、中软国际等著名IT企业，是IPD领域专家及PM研学营社群首席战略官。

内容简介

本书是一本通俗介绍集成产品开发（IPD）的书，从工程和流程的角度，描述集成产品开发（IPD）的理论和方法，介绍集成产品开发（IPD）的具体运用。
为了方便读者理解集成产品开发（IPD），本书以一家手机制造商为例，以手机产品管理为主线，详细介绍如何利用集成产品开发（IPD）的工程方法，分析企业经营的目标差距、制定企业的战略、寻找创新机会、收集市场需求、进行路标和产品规划、完成产品开发，终推动产品上市销售（Go-to-Market）。
案例中的企业是一家传统的非智能手机制造商，面向国内用户销售非智能手机，该企业具有完整的非智能手机设计和制造能力。由于技术的进步、客户需求的变化，非智能手机市场在不断萎缩，因此，该企业计划转型研发和制造智能手机。以此为背景，该企业利用集成产品开发（IPD）的思想和工具，进行新的智能手机的研发，支撑企业转型。
书中的主要章节都包含现状问题、理论方法、应用实践、常见问题等内容，本书尽量通俗、全面地介绍集成产品开发（IPD）方法，希望抛砖引玉，能够给大家的工作带来一定的启发和帮助。

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动力电池-管理系统核心算法-14560251.pdf 文件大小：047.32 MB

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动力电池管理系统核心算法
正版图书,下单速发,可开发票
作者:熊瑞出版社:机械工业出版社出版时间:2018年11月

抢购价 ¥122.66(4.98折)

开 本：16开
纸 张：胶版纸
包 装：平装-胶订
是否套装：否
国际标准书号ISBN：9787111608646
所属分类：
图书>工业技术>能源与动力工程

作者简介
?? 熊瑞，博士，北京理工大学副教授，博士生导师，入选Clarivate Analytics“优选高被引科学家”。长期从事电动汽车和动力电池管理的基础理论和工程应用研究，主持国家自然科学基金、研发计划课题、北京市自然科学基金和若干企业委托攻关项目等。在动力电池管理领域发表相关论文100余篇，授权国家发明专利10余件，3篇论文入选”中国百篇很具影响靠前学术论文”，25篇论文入选ESI高被引论文。受邀担任多个靠前知名SCI期刊的学术编辑和多个靠前学术会议的大会主席。荣获2018年汽车工业技术发明一等奖和2016年国防技术发明二等奖。
目　　录
??
丛书序
前言
章动力电池及其管理概述1
1.1我国新能源汽车的发展规划1
1.2动力电池及管理系统的应用要求3
1.2.1纯电动汽车4
1.2.2混合动力汽车4
1.2.3插电式混合动力汽车5
1.2.4相关研发指标6
1.3动力电池6
1.3.1动力电池的发展背景6
1.3.2锂离子动力电池的原理与分类8
1.3.3磷酸铁锂锂离子动力电池10
1.3.4三元锂离子动力电池12
1.4动力电池管理系统14
1.4.1BMS的基本功能15

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太阳能光伏发电系统设计施工与应用（第3版）.pdf 文件大小：255.60 MB

太阳能光伏发电系统设计施工与应用（第3版）-OCR.pdf 文件大小：177.87 MB

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太阳能光伏发电系统设计施工与应用 第3版
作者:李钟实出版社:人民邮电出版社出版时间:2023年09月

当当价 ¥86.90

开 本：128开
纸 张：胶版纸
包 装：平装-胶订
是否套装：否
国际标准书号ISBN：9787115614827
所属分类：
图书>工业技术>能源与动力工程

内容简介

本书系统介绍了太阳能光伏发电系统的类型及各组成部分的工作原理、性能参数、设计方法，重点介绍太阳能光伏发电系统的容量设计、并网接入设计、系统整体配置、设备部件选型及设计、安装施工、检测调试、运行维护及故障排除，还介绍了光伏发电系统设计应用实例及光伏发电新技术应用等内容，并提供了具体的设计、施工实例和实用资料。
本书紧跟太阳能光伏发展步伐，内容翔实，图文并茂，通俗易懂，具有较高的实用性，适合从事太阳能光伏发电系统设计、施工、维护及应用方面的工程技术人员及太阳能光伏发电设备、部件生产方面的相关人员阅读，也可供大专院校相关专业的师生学习参考，还可供对太阳能光伏发电感兴趣的各界人士阅读。
作者简介

李钟实
山西吕梁市光能产业协会副理事长，有40年的电子技术研发及16年光伏行业从业经历。曾先后获得7项实用新型专利，两次承担山西省科技攻关项目，参与起草光伏行业团体标准8项。在国内电子技术类报刊杂志发表技术文章70多篇。 编著电子技术、光伏发电方面的专业书籍15部，包括《太阳能光伏发电系统设计施工与维护》《太阳能光伏组件生产制造工程技术》和《农村小型太阳能光伏电站施工与维护》等。
目　　录

第 1章 太阳能光伏发电系统概述1
1.1 太阳能光伏发电概述1
1.1.1 太阳能光伏发电简介1
1.1.2 太阳能光伏发电的优点3
1.1.3 太阳能光伏发电的缺点4
1.1.4 太阳能光伏发电的应用6
1.2 光伏发电系统分类与构成10
1.2.1 光伏发电系统的分类10
1.2.2 光伏发电系统的构成12
1.3 光伏发电系统工作原理14
1.3.1 离网光伏发电系统14
1.3.2 并网光伏发电系统18

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现代离子镀膜技术.pdf 文件大小：258.90 MB

现代离子镀膜技术-OCR.pdf 文件大小：073.70 MB

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现代离子镀膜技术

现代离子镀膜各种技术的原理、特点、装备、工艺和应用，以及离子镀膜新技术的设计理念
作者:王福贞 武俊伟 等编著出版社:机械工业出版社出版时间:2021年07月

当当价 ¥82.80
(8.45折)

开 本：16开
纸 张：胶版纸
包 装：平装-胶订
是否套装：否
国际标准书号ISBN：9787111680703
所属分类：
图书>工业技术>一般工业技术

编辑推荐

1）本书系统介绍了各种现代离子镀膜技术的原理、特点、装备、工艺和应用，重点分析了各种离子镀膜新技术的设计理念。本书内容全面、新颖，紧密联系实际，具有很强的系统性、科学性、先进性和实用性。
2）本书主要内容包括：概述、真空物理和等离子体物理基础知识、真空蒸发镀膜、辉光放电离子镀膜、热弧光放电离子镀膜、阴极电弧离子镀膜、磁控溅射镀膜、带电粒子流在镀膜中的作用、等离子体增强化学气相沉积、等离子体聚合，以及离子镀膜技术在太阳能利用、信息显示薄膜、装饰性薄膜、光学薄膜、硬质涂层、碳基薄膜、热电薄膜等领域和低温离子化学热处理中的应用。

内容简介

本书系统地介绍了各种现代离子镀膜技术的原理、特点、装备、工艺、发展历程和应用。其主要内容包括概述、真空物理和等离子体物理基础知识、真空蒸发镀膜技术、辉光放电离子镀膜技术、热弧光放电离子镀膜技术、阴极电弧离子镀膜技术、磁控溅射镀膜技术、带电粒子流在镀膜中的作用、等离子体增强化学气相沉积技术、等离子体聚合技术，以及离子镀膜技术在太阳能利用、信息显示薄膜、装饰性薄膜、光学薄膜、硬质涂层、碳基薄膜、热电薄膜等领域和低温离子化学热处理中的应用。本书内容全面、新颖，紧密联系实际，具有很强的系统性、科学性、先进性和实用性。
目　　录

序1
序2
前言
第1章概述1
1.1离子镀膜技术的应用领域1
1.2科学技术现代化对薄膜产品的新要求1
1.3镀膜技术的类型3
1.3.1薄膜的初始制备技术3
1.3.2离子镀膜技术3
1.4本书的主要内容5
第2章真空物理基础知识6
2.1真空6
2.1.1真空的定义6
2.1.2真空的形成6
2.1.3真空度的意义7
2.2气体分子运动的基本规律7
2.2.1理想气体分子运动规律7
2.2.2理想气体的压强9
2.2.3气体分子的平均自由程10
2.2.4碰撞截面10
2.2.5分子运动速度11
2.3气体分子和固体表面的相互作用12

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光伏电池原理.pdf 文件大小：203.38 MB
光伏电池原理-OCR.pdf 文件大小：093.58 MB

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光伏电池原理（周继承）

作者:周继承 编著出版社:化学工业出版社出版时间:2021年09月

当当价 ¥35.00
(7.15折)

开 本：16开
纸 张：胶版纸
包 装：平装
是否套装：否
国际标准书号ISBN：9787122391773
所属分类：
图书>教材>研究生/本科/专科教材>工学

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印制电路手册 第6版_（美）库姆斯主编_北京：科学出版社 , 2015.08_P1574.pdf 文件大小：544.73 MB

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印制电路手册 (美)Clyde F. Coombs Jr.主编,陈力颖等译 科学出版社【正版保证】
全国三仓发货，物流便捷，下单秒杀，欢迎选购！
作者:(美)Clyde F. Coombs Jr.主编,陈力颖等译出版社:科学出版社出版时间:2015年08月

¥822.00
(4.98折)

开 本：16开
纸 张：胶版纸
包 装：精装
是否套装：否
国际标准书号ISBN：9787030448125
所属分类：
图书>工业技术>电子 通信>微电子学、集成电路（IC）

编辑推荐
《印制电路手册》是印制电路制造行业的技术手册，适合行业管理者、设计者、工程师和相关技术人员参阅。
内容简介
该书对目前的印刷电路设计原理、材料分析和工程设计、分析和测试进行了详尽讲解。作者对PCB电路设计和制造中的诸多关键问题给出了详尽的要点分析，通过深入浅出的解释和讲解，该书给出了PCB电路设计的理论知识、材料分析和工程设计方法及测试方法。
作者简介
作者:（美）Clyde F. Coombs Jr.主编；陈力颖等
目　　录
目　录
部分　无铅指令
章　印制电路的立法及其影响

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信号与系统（奥本海姆）.pdf 文件大小：014.63 MB

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信号与系统 奥本海姆 第二版美艾伦 V.奥本海姆 电子工业出版社 美国麻省理工学院MIT经典教材国外电子与通信教材
作者:佚名出版社:电子工业出版社

 

当当价¥108.94
(8.99折)

开 本：16开
纸 张：胶版纸
包 装：平装
是否套装：否
国际标准书号ISBN：9787121388378
所属分类：
图书>教材>研究生/本科/专科教材>工学

内容

本书是美国麻省理工学院（MIT）的经典之一，讨论了信号与系统分析的基本理论、基本分析方法及其应用。全书共分章，主要讲述了线性系统的基本理论、信号与系统的基本概念、线性时不变系统、连续与离散信号的傅里叶表示、傅里叶变换以及时域和频域系统的分析方法等内容。本书作者使用了大量在滤波、采样、通信和反馈系统中的实例，并行讨论了连续系统、离散系统、时域系统和频域系统的分析方法，使读者能透彻地理解各种信号系统的分析方法并比较其异同。

作者介绍：

本书的编者是华中科技大学长期从事信号与系统的教学和科研的老师，有二三十年的教学经验,也还承担每年信号与系统课程考试的出卷、考研试题出卷任务，对学科知识把握很准，对学生在该课程学习中遇到的困难十分了解。作者宋琪博士，是华中科技大学电子信息与通信学院教授。主持湖北省自然科学基金项目、一般纵向和横向项目5项，参与自然科学基金项目3项，863项目3项。在或核心期刊上发表科研论文9篇。

在教学方面，从1998年开始给本科生讲授“信号与线性系统”，其中2002年开始采用奥本海姆的给提高班全英语讲授“信号与线性系统”2006年，2006年开始在普通班的教学中采用奥本海姆的。2007年起今，每年为通信专业本科留学生全英语讲授“信号与线性系统”和“MATLAB与系统仿真”课程。目前还从事“数字电子技术”课程的教学。先后获得六次校教学质量二等，一次教学一等，一次教学，两次获得校级本科毕业设计二等。主持、参与教学改革研究项目8项，发表教学研究论文8篇，以作者身份编写出版、教学辅导书9本。

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模拟集成电路的分析与设计(第四版).pdf 文件大小：016.55 MB

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模拟集成电路的分析与设计 美格雷 第四4版中文版 张晓林译 集成电路 高等教育出版社 国外信息科学与技术系列教学用书全新正版

作者:Paul R.Gray 等出版社:高等教育出版社

当当价 ¥65.29
(8.95折)

开 本：16开
纸 张：胶版纸
包 装：平装
是否套装：否
国际标准书号ISBN：9787040166002
所属分类：
图书>教材>高职高专教材>入学考试

1.1 引言 1
1.2 pn结的耗尽区 1
第一章 集成电路放大器件模型 1
1.2.1 势垒电容 4
1.2.2 结击穿 6
1.3 双极型晶体管的大信号特性 7
1.3.1 正向放大区的大信号模型 8
1.3.2 集电极电压对正向放大区大信号特性的影响 13
1.3.3 饱和区和反向放大区 15
1.3.4 晶体管击穿电压 19
1.3.5 工作条件决定晶体管电流增益 22

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模拟CMOS集成电路设计(拉扎维)－完美电子版.pdf 文件大小：016.19 MB
dzs-00224-new-jiahei-08d8ck8D9d.zip 124MB
dzs-00224-new-sd9kLo0IYd.zip 220MB

下载地址：

模拟CMOS集成电路设计（第2版）（国外名校教材精选）
作者:【美】毕查德·拉扎维出版社:西安交通大学出版社出版时间:2019年04月
新版2018封面（第2版）：

旧版封面：

当当价 ¥89.70
(6.5折)

开 本：16开
纸 张：胶版纸
包 装：平装-胶订
是否套装：否
国际标准书号ISBN：9787569309928
所属分类：
图书>工业技术>电子 通信>微电子学、集成电路（IC）

内容简介
内容简介：
本书是模拟CMOS集成电路设计方面的经典教材，介绍模拟CMOS集成电路的分析与设计，着重讲解该技术的*进展和设计实例，从MOSFET器件的基本物理特性开始，逐章分析CMOS放大单元电路、差分放大器、频率响应、噪声、反馈放大器与稳定性、运算放大器、电压基准源与电流基源、离散时间系统、差分电路及反馈系统中的非线性、振荡器和锁相环等基础模拟电路的分析与设计。本书还介绍了集成电路的基本制造工艺、版图和封装设计的基本原则。本书自出版以来得到了国内外读者的好评和青睐，被许多国际知名大学选为教科书。同时，由于原著者在世界知名*公司的丰富研究经历，使本书也非常适合作为CMOS模拟集成电路设计或相关领域的研究人员和工程技术人员的参考书
作者简介
毕查德·拉扎维（Behzad Razavi），于1985年在沙里夫理工大学的电气工程系获得理学学士学位，并分别于1988年和1992年在斯坦福大学电气工程系获得理学硕士和博士学位。他1992年到1994年在普林斯顿大学，1995年在斯坦福大学任副教授，并曾在AT&T贝尔实验室、Hewlett-Packard实验室工作。1996年9月，他成为加利福尼亚大学洛杉矶分校的电气工程系副教授，随后晋升为教授。目前他从事的研究包括无线收发、频率合成，高速数据通信及数据转换的锁相和时钟恢复。他是VLSI电路专题研讨会的技术程序委员会和国际固态电子协会(ISSCC)的成员，在其中担任模拟小组委员会的主席。此外，他还分别担任《IEEE固态电路学报》、《IEEE电路和系统学报》及《高速电子学国际学报》的特邀编辑和副编辑。他出版了多部蜚声国际的学术专著和专业教材，并获得多项。
新版2018目录：
第1章 模拟电路设计绪论 1
1.1 模拟电路的重要性 1
1.1.1 信号的检测与处理 1
1.1.2 数字信号传输中的模拟设计 2
1.1.3 需求旺盛的模拟设计 3
1.1.4 模拟设计的挑战 4
1.2 研究模拟集成电路的重要性 4
1.3 研究CMOS模拟集成电路的重要性 5
1.4 本书的特点 5
1.5 电路设计的抽象级别 6
第2章 MOS器件物理基础 7
2.1 基本概念 7
2.1.1 MOSFET开关 7
2.1.2 MOSFET的结构 8
2.1.3 MOS符号 10
2.2 MOS的I-V特性 10
2.2.1 阈值电压 10
2.2.2 I-V特性的推导 12
2.2.3 MOSFET的跨导 17
2.3 二级效应 19
2.4 MOS器件模型 24
2.4.1 MOS器件版图 24
2.4.2 MOS器件电容 25
2.4.3 MOS小信号模型 29
2.4.4 MOS SPICE模型 32
2.4.5 NMOS与PMOS器件的比较 33
2.4.6 长沟道器件与短沟道器件的比较 33
2.5 附录A：鳍式场效应晶体管（FinFET） 34
2.6 附录B：用作电容器的MOS器件的特性 35
参考文献 35
习题 35
第3章 单级放大器 42
3.1 应用 42
3.2 概述 42
3.3 共源级 44
3.3.1 采用电阻作负载的共源级 44
3.3.2 采用二极管连接型器件作负载的共源级 49
3.3.3 采用电流源作负载的共源级 53
3.3.4 有源负载的共源级 55
3.3.5 工作在线性区的MOS为负载的共源级 56
3.3.6 带源极负反馈的共源级 57
3.4 源跟随器 63
3.5 共栅级 69
3.6 共源共栅级 75
3.6.1 折叠式共源共栅 81
3.7 器件模型的选择 84
习题 84
第4章 差动放大器 91
4.1 单端与差动的工作方式 91
4.2 基本差动对 93
4.2.1 定性分析 94
4.2.2 定量分析 97
4.2.3 带源极负反馈的差动对 106
4.3 共模响应 107
4.4 MOS为负载的差动对 112
4.5 吉尔伯特单元 115
参考文献 117
习题 117
第5章 电流镜与偏置技术 122
5.1 基本电流镜 122
5.2 共源共栅电流镜 126
5.3 有源电流镜 133
5.3.1 大信号分析 135
5.3.2 小信号分析 138
5.3.3 共模特性 141
5.3.4 五管OTA的其它特性 144
5.4 偏置技术 145
5.4.1 共源级的偏置 145
5.4.2 共栅级的偏置 149
5.4.3 源跟随器的偏置 150
5.4.4 差动对的偏置 151
习题 151
第6章 放大器的频率特性 157
6.1 概述 157
6.1.1 密勒效应 158
6.1.2 极点与结点的关联 162
6.2 共源级 164
6.3 源跟随器 170
6.4 共栅级 175
6.5 共源共栅级 177
6.6 差动对 179
6.6.1 无源负载的差动对 179
6.6.2 有源负载的差动对 181
6.7 增益-带宽的折中 183
6.7.1 单极点电路 184
6.7.2 多极点电路 184
6.8 附录A：额外的元定理 185
6.9 附录B：零值时间常数方法 188
6.10 附录C：密勒定理的对偶 191
参考文献 192
习题 193
第7章 噪声 197
7.1 噪声的统计特性 197
7.1.1 噪声谱 199
7.1.2 幅值分布 202
7.1.3 相关噪声源和非相关噪声源 203
7.1.4 信噪比 203
7.1.5 噪声分析步骤 204
7.2 噪声类型 205
7.2.1 热噪声 205
7.2.2 闪烁噪声 210
7.3 电路中的噪声表示 212
7.4 单级放大器中的噪声 218
7.4.1 共源级 220
7.4.2 共栅级 224
7.4.3 源跟随器 226
7.4.4 共源共栅级 227
7.5 电流镜中的噪声 228
7.6 差动对中的噪声 229
7.7 噪声与功率的折中 235
7.8 噪声带宽 236
7.9 输入噪声积分的问题 237
7.10 附录A：噪声相关的问题 237
参考文献 239
习题 239
第8章 反馈 245
8.1 概述 245
8.1.1 反馈电路的特性 246
8.1.2 放大器的种类 252
8.1.3 检测和返回机制 254
8.2 反馈结构 256
8.2.1 电压-电压反馈 256
8.2.2 电流-电压反馈 260
8.2.3 电压-电流反馈 262
8.2.4 电流-电流反馈 265
8.3 反馈对噪声的影响 266
8.4 反馈分析的困难 267
8.5 加载效应 270
8.5.1 二端口网络模型 270
8.5.2 电压-电压反馈中的加载 271
8.5.3 电流-电压反馈中的加载 275
8.5.4 电压-电流反馈中的加载 277
8.5.5 电流-电流反馈中的加载 279
8.5.6 加载效应小结 281
8.6 反馈电路中的波特分析方法 281
8.6.1 观察结果 282
8.6.2 系数的解释 283
8.6.3 波特分析 286
8.6.4 布莱克曼阻抗定理 290
8.7 麦德布鲁克方法 295
8.8 环路增益计算问题 296
8.8.1 预备概念 296
8.8.2 关于返回比的困难 299
8.9 波特方法的另一种解释 300
参考文献 303
习题 303
第9章 运算放大器 308
9.1 概述 308
9.1.1 性能参数 308
9.2 一级运放 312
9.2.1 基本结构 312
9.2.2 设计步骤 316
9.2.3 线性缩放 317
9.2.4 折叠式共源共栅运放 318
9.2.5 折叠式共源共栅运放的特性 321
9.2.6 设计步骤 321
9.3 两级运放 323
9.3.1 设计步骤 325
9.4 增益的提高 326
9.4.1 基本思想 326
9.4.2 电路的实现 330
9.4.3 频率响应 332
9.5 性能比较 335
9.6 输出摆幅计算 335
9.7 共模反馈 336
9.7.1 基本概念 336
9.7.2 共模检测技术 338
9.7.3 共模反馈技术 340
9.7.4 两级运放中的共模反馈 346
9.8 输入范围限制 348
9.9 转换速率 349
9.10 高转换速率的运算放大器 355
9.10.1 一级运放 355
9.10.2 两级运放 358
9.11 电源抑制 358
9.12 运放的噪声 360
参考文献 363
习题 364
第10章 稳定性与频率补偿 368
10.1 概述 368
10.2 多极点系统 371
10.3 相位裕度 373
10.4 频率补偿基础 376
10.5 两级运放的补偿 381
10.6 两级运放中的转换 386
10.7 其它补偿技术 389
10.8 奈奎斯特稳定性判据 392
10.8.1 研究背景 392
10.8.2 基本概念 393
10.8.3 极坐标图的构造方法 394
10.8.4 柯西定理 399
10.8.5 奈奎斯特方法 399
10.8.6 极点位于原点的系统 402
10.8.7 相位多次穿越180°的系统 405
参考文献 406
习题 407
第11章 纳米设计分析 411
11.1 晶体管的设计考虑 411
11.2 深亚微米效应 412
11.3 跨导的缩放 414
11.4 晶体管设计 417
11.4.1 给定ID和V DS.min情况下的设计 418
11.4.2 给定gm和ID情况下的设计 421
11.4.3 给定gm和V DS.min情况下的设计 422
11.4.4 给定gm情况下的设计 423
11.4.5 沟道长度的选择 423
11.5 运算放大器设计实例 423
11.5.1 套筒式运放 424
11.5.2 两级运放 437
11.6 高速放大器 444
11.6.1 概述 445
11.6.2 运放设计 449
11.6.3 闭环小信号性能 449
11.6.4 运放按比例缩小 451
11.6.5 大信号特性 452
11.7 本章小结 456
习题 456
第12章 带隙基准 458
12.1 概述 458
12.2 与电源无关的偏置 458
12.3 与温度无关的基准 461
12.3.1 负温度系数电压 462
12.3.2 正温度系数电压 462
12.3.3 带隙基准 463
12.4 PTAT电流的产生 469
12.5 恒定Gm偏置 470
12.6 速度与噪声问题 471
12.7 低压带隙基准 474
12.8 实例分析 477
参考文献 480
习题 480
第13章 开关电容电路导论 483
13.1 概述 483
13.2 采样开关 487
13.2.1 MOSFET开关 487
13.2.2 速度问题 491
13.2.3 精度问题 493
13.2.4 电荷注入抵消 495
13.3 开关电容放大器 497
13.3.1 单位增益采样器／缓冲器 497
13.3.2 同相放大器 503
13.3.3 精确乘2电路 507
13.4 开关电容积分器 508
13.5 开关电容共模反馈 510
参考文献 511
习题 512
第14章 非线性与不匹配 515
14.1 非线性 515
14.1.1 概述 515
14.1.2 差动电路的非线性 517
14.1.3 负反馈对非线性的影响 519
14.1.4 电容器的非线性 521
14.1.5 采样电路中的非线性 522
14.1.6 线性化技术 523
14.2 失配 527
14.2.1 失配的影响 530
14.2.2 失调消除技术 533
14.2.3 用失调消除来降低噪声 537
14.2.4 CMRR的另一种定义 539
参考文献 539
习题 540
第15章 振荡器 542
15.1 概述 542
15.2 环形振荡器 543
15.3 LC振荡器 551
15.3.1 基本概念 551
15.3.2 交叉耦合振荡器 553
15.3.3 科尔皮兹振荡器 555
15.3.4 单端口振荡器 558
15.4 压控振荡器 561
15.4.1 环形振荡器的调节 563
15.4.2 LC振荡器的调节 571
15.5 VCO的数学模型 574
参考文献 577
习题 578
第16章 锁相环 580
16.1 简单的锁相环 580
16.1.1 鉴相器 580
16.1.2 基本的PLL结构 582
16.1.3 简单锁相环的动态特性 588
16.2 电荷泵锁相环 593
16.2.1 锁定捕获的问题 593
16.2.2 鉴相／鉴频器 594
16.2.3 电荷泵 597
16.2.4 基本的电荷泵锁相环 598
16.3 锁相环中的非理想效应 603
16.3.1 PFD／CP的非理想性 603
16.3.2 锁相环中的抖动现象 607
16.4 延迟锁相环 609
16.5 应用 611
16.5.1 频率的倍增与合成 611
16.5.2 偏移的减小 613
16.5.3 抖动的减小 614
参考文献 614
习题 615
第17章 短沟道效应与器件模型 616
17.1 按比例缩小理论 616
17.2 短沟道效应 619
17.2.1 阈值电压的变化 619
17.2.2 垂直电场引起的迁移率退化 621
17.2.3 速度饱和 622
17.2.4 热载流子效应 623
17.2.5 漏-源电压引起的输出阻抗的变化 624
17.3 MOS器件模型 625
17.3.1 Level 1模型 625
17.3.2 Level 2模型 626
17.3.3 Level 3模型 627
17.3.4 BSIM系列模型 628
17.3.5 其它模型 629
17.3.6 电荷与电容的建模 630
17.3.7 温度特性 630
17.4 工艺角 631
参考文献 631
习题 632
第18章 CMOS工艺技术 634
18.1 概述 634
18.2 晶圆工艺 635
18.3 光刻 635
18.4 氧化 637
18.5 离子注入 637
18.6 淀积与刻蚀 639
18.7 器件制造 639
18.7.1 有源器件 640
18.7.2 无源器件 643
18.7.3 互连 648
18.8 闩锁效应 650
参考文献 651
习题 651
第19章 版图与封装 653
19.1 版图概述 653
19.1.1 设计规则 654
19.1.2 天线效应 655
19.2 模拟电路的版图技术 656
19.2.1 叉指晶体管 656
19.2.2 对称性 658
19.2.3 浅槽隔离问题 662
19.2.4 阱邻近效应 662
19.2.5 参考源的分布 663
19.2.6 无源器件 664
19.2.7 互连线 670
19.2.8 焊盘与静电放电保护 674
19.3 衬底耦合 676
19.4 封装 680
参考文献 686
习题 687
索引 689
==============================
旧版目录：第1章 模拟电路设计绪论 1
1.1研究模拟电路的重要性 1
1.2研究模拟集成电路的重要性 5
1.3研究CMOS模拟集成电路的重要性 5
1.4本书的特点 6
1.5电路设计的一般概念 6
1.5.1抽象级别 6
1.5.2鲁棒模拟电路设计 7
1.5.3符号 7
第2章 MOS器件物理基础 9
2.1基本概念 9
2.1.1 MOSFET开关 9
2.1.2 MOSFET的结构 9
2.1.3 MOS符号 11
2.2 MOS的I/V特性 11
2.2.1阈值电压 12
2.2.2 I/V特性的推导 13
2.3二级效应 20
2.4 MOS器件模型 24
2.4.1 MOS器件版图 24
2.4.2 MOS器件电容 25
2.4.3 MOS小信号模型 28
2.4.4 MOS SPICE模型 31
2.4.5 NMOS与PMOS器件的比较 32
2.4.6长沟道器件与短沟道器件的比较 33
附录A：用作电容器的MOS器件的特性 33
习题 34
第3章 单级放大器 40
3.1基本概念 40
3.2共源级 41
3.2.1采用电阻负载的共源级 41
3.2.2采用二极管连接的负载的共源级 45
3.2.3采用电流源负载的共源级 49
3.2.4工作在线性区的MOS为负载的共源级 50
3.2.5带源极负反馈的共源级 50
3.3源跟随器 57
3.4共栅级 64
3.5共源共栅级 70
3.5.1折叠式共源共栅 75
3.6器件模型的选择 77
习题 78
第4章 差动放大器 84
4.1单端与差动的工作方式 84
4.2基本差动对 86
4.2.1定性分析 87
4.2.2定量分析 90
4.3共模响应 98
4.4 MOS为负载的差动对 103
4.5吉尔伯特单元 105
习题 108
第5章 无源与有源电流镜 113
5.1基本电流镜 113
5.2共源共栅电流镜 116
5.3有源电流镜 121
5.3.1大信号分析 124
5.3.2小信号分析 125
5.3.3共模特性 128
习题 131
第6章 放大器的频率特性 138
6.1概述 138
6.1.1密勒效应 138
6.1.2极点与结点的关联 141
6.2共源极 143
6.3源跟随器 147
6.4共栅级 151
6.5共源共栅级 153
6.6差动对 155
附录A：密勒定理的对偶 159
习题 161
第7章 噪声 165
7.1噪声的统计特性 165
7.1.1噪声谱 167
7.1.2幅值分布 170
7.1.3相关噪声源和非相关噪声源 171
7.2噪声类型 172
7.2.1热噪声 172
7.2.2闪烁噪声 176
7.3电路中的噪声表示 179
7.4单级放大器中的噪声 184
7.4.1共源级 185
7.4.2共栅级 187
7.4.3源跟随器 190
7.4.4共源共栅级 191
7.5差动对中的噪声 192
7.6噪声带宽 196
习题 197
第8章 反馈 202
8.1概述 202
8.1.1反馈电路的特性 203
8.1.2放大器的种类 208
8.1.3检测和返回机制 210
8.2反馈结构 212
8.2.1电压-电压反馈 212
8.2.2电流-电压反馈 216
8.2.3电压-电流反馈 218
8.2.4电流-电流反馈 221
8.3负载的影响 221
8.3.1二端口网络模型 221
8.3.2电压-电压反馈中的负载 223
8.3.3电流-电压反馈中的负载 226
8.3.4电压-电流反馈中的负载 228
8.3.5电流-电流反馈中的负载 230
8.3.6负载影响小结 232
8.4反馈对噪声的影响 233
习题 234
第9章 运算放大器 239
9.1概述 239
9.1.1性能参数 240
9.2一级运放 243
9.3两级运放 252
9.4增益的提高 254
9.5性能比较 257
9.6共模反馈 258
9.7输入范围限制 266
9.8转换速率 268
9.9电源抑制 275
9.10运放的噪声 276
习题 279
第10章 稳定性与频率补偿 284
10.1概述 284
10.2多极点系统 287
10.3相位裕度 289
10.4频率补偿 292
10.5两级运放的补偿 297
10.5.1两级运放中的转换 301
10.6其它补偿技术 302
习题 306
第11章 带隙基准 309
11.1概述 309
11.2与电源无关的偏置 310
11.3与温度无关的基准 312
11.3.1负温度系数电压 313
11.3.2正温度系数电压 314
11.3.3带隙基准 314
11.4 PTAT电流的产生 319
11.5恒定Gm偏置 320
11.6速度与噪声问题 321
11.7实例分析 324
习题 327
第12章 开关电容电路 330
12.1概述 330
12.2采样开关 334
12.2.1 MOSFETs开关 334
12.2.2速度问题 338
12.2.3精度问题 341
12.2.4电荷注入抵消 343
12.3开关电容放大器 345
12.3.1单位增益采样器/缓冲器 345
12.3.2同相放大器 351
12.3.3精确乘2电路 356
12.4开关电容积分器 357
12.5开关电容共模反馈 359
习题 360
第13章 非线性与不匹配 364
13.1非线性 364
13.1.1概述 364
13.1.2差动电路的非线性 367
13.1.3负反馈对非线性的影响 369
13.1.4电容器的非线性 371
13.1.5线性化技术 372
13.2不匹配 376
13.2.1失调消除技术 382
13.2.2用失调消除来降低噪声 386
13.2.3 CMRR的另一种定义 388
习题 389
第14章 振荡器 391
14.1概述 391
14.2环形振荡器 393
14.3 LC振荡器 402
14.3.1交叉耦合振荡器 404
14.3.2科尔皮兹振荡器 406
14.3.3单端口振荡器 409
14.4压控振荡器 413
14.4.1环形振荡器调节 415
14.4.2 LC振荡器的调节 423
14.5 VCO的数学模型 426
习题 430
第15章 锁相环 432
15.1简单的锁相环 432
15.1.1鉴相器 432
15.1.2基本的PLL结构 434
15.1.3简单锁相环的动态特性 441
15.2电荷泵锁相环 447
15.2.1锁定捕获的问题 447
15.2.2鉴相/鉴频器和电荷泵 448
15.2.3基本的电荷泵锁相环 452
15.3锁相环中的非理想效应 458
15.3.1 PFD/CP的非理想性 458
15.3.2锁相环中的抖动现象 462
15.4延迟锁相环 464
15.5应用 466
15.5.1频率倍增和合成 467
15.5.2歪斜的减小 469
15.5.3抖动的减小 470
习题 470
第16章 短沟道效应与器件模型 473
16.1按比例缩小理论 473
16.2短沟道效应 477
16.2.1阈值电压的变化 477
16.2.2垂直电场引起的迁移率退化 479
16.2.3速度饱和 479
16.2.4热载流子效应 481
16.2.5漏-源电压引起的输出阻抗的变化 481
16.3 MOS器件模型 483
16.3.1 Level 1模型 483
16.3.2 Level 2模型 484
16.3.3 Level 3模型 486
16.3.4 BSIM系列模型 487
16.3.5其它模型 488
16.3.6电荷和电容模型 488
16.3.7温度特性 489
16.4工艺角 489
16.5数字世界中的模拟设计 490
习题 491
第17章 CMOS工艺技术 494
17.1概述 494
17.2晶片工艺 495
17.3光刻 496
17.4氧化 497
17.5离子注入 498
17.6淀积与刻蚀 500
17.7器件制造 500
17.7.1有源器件 501
17.7.2无源器件 504
17.7.3互连 511
17.8闩锁效应 513
习题 514
第18章 版图与封装 517
18.1版图概述 517
18.1.1设计规则 518
18.1.2天线效应 520
18.2模拟电路的版图技术 521
18.2.1叉指晶体管 521
18.2.2对称性 523
18.2.3参考源的分布 527
18.2.4无源器件 528
18.2.5连线 535
18.2.6焊盘与静电放电保护 538
18.3衬底耦合 540
18.4封装 545
习题 552
英中词汇对照 555

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正版！ 交直流电路基础:系统方法， 9787111453604， 机械工业出版社【正版图书可开发票】
正版图书]
作者:Thomas L.Floyd出版社:机械工业出版社出版时间:2014年01月

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开 本：12开
纸 张：胶版纸
包 装：平装-胶订
是否套装：否
国际标准书号ISBN：9787111453604
所属分类：
图书>工业技术>电子 通信>基本电子电路

编辑推荐
弗洛伊德、布奇勒所著的《交直流电路基础(系统方法)》以系统方法阐述电路基本理论，每章都包括基本系统实例和系统注释，以加强学生对系统模块、接口关系、输入／输出信号的理解，掌握在实际系统中交直流电路的应用。主要内容包括直流电路、电磁现象与直流电机、交流电路、电容及rc交流电路、电感器及rl交流电路、rlc电路及谐振、变压器，以及含电抗电路的时间响应。本书还包括电路故障排除，强调系统故障诊断中必要的测试和测量。本书适合作为高等院校电路课程的基础教材，也可供职业学校的学生学习使用，还可作为工程技术人员的电路基础参考书。
内容简介
《国外电子与电气工程技术丛书·交直流电路基础：系统方法》共有15章，涵盖了交直流电路的主要基础知识。、2章介绍与电路有关的基本概念，第3~6章介绍直流电路，第7章介绍电磁现象与直流电动机，第8章介绍交流电路的相关基本概念，第9、10章介绍电容器及RC交流电路，1、12章介绍电感器及RL交流电路……
目　　录
章 系统、物理量及其单位
1.1 电子工业
1.1.1 电子工业的主要分类
1.1.2 授权
1.2 电子系统概述
1.2.1 系统的概念
1.2.2 方框图
1.2.3 传输曲线
1.3 电路的分类

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